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SI1912EDH-T1-E3
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trans MOSFET N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
1.13A
2
350 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
280mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION
最大功率耗散
570mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI1912
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
570mW
接通延迟时间
45 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
280m Ω @ 1.13A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 100μA (Min)
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1nC @ 4.5V
上升时间
85ns
下降时间(典型值)
85 ns
连续放电电流(ID)
1.28A
阈值电压
450mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.13A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
450 mV
高度
900μm
长度
2.05mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
SI1912EDH-T1-E3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1.13A
1.28 A
450 mV
12 V
570 mW
570 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1.3A
-1 A
-1 V
8 V
740 mW
1.25 W
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-
900 mA
-
8 V
-
450 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
2.1A (Tc)
2.1 A
600 mV
12 V
600 mW
-
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1.5A (Ta)
1.4 A
-
12 V
-
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