![SI7938DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7272dpt1ge3-7615.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
S17-0173-DUAL
2
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
46W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI7938
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C6
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8m Ω @ 18.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 10V
上升时间
19ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Standard
栅源电压
2.5 V
高度
1.17mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI7938DP-T1-GE3
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60 A
2 V
20 V
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55 W
SI7938DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :