![BSC886N03LSGATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle8457dlexuma1-8095.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
13A Ta 65A Tc
4.5V 10V
1
2.5W Ta 39W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2100pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
3.2ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
65A
阈值电压
2.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0092Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
260A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
BSC886N03LSGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
30V
65 A
13A (Ta), 65A (Tc)
2.2 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
8-PowerTDFN, 5 Leads
-
74 A
10A (Ta), 74A (Tc)
-
20 V
2.2 W
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
16 A
16A (Ta), 57A (Tc)
1.7 V
20 V
2.6 W
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
21 A
21A (Ta), 82A (Tc)
-
20 V
3.6 W
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
30V
80 A
18A (Ta), 80A (Tc)
2.2 V
20 V
50 W
BSC886N03LSGATMA1 PDF数据手册
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