![IRFHM8329TRPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-bsz215chxtma1-0031.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
39 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
16A Ta 57A Tc
4.5V 10V
1
2.6W Ta 33W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.1m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1710pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
74ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
230A
雪崩能量等级(Eas)
43 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFHM8329TRPBF
Surface Mount
8-PowerTDFN
16 A
16A (Ta), 57A (Tc)
1.7 V
20 V
2.6 W
2.6W (Ta), 33W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
65 A
13A (Ta), 65A (Tc)
2.2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 39W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
16 A
16A (Ta), 42A (Tc)
1.8 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
49 A
24A (Ta), 49A (Tc)
1.7 V
20 V
50 W
2.5W (Ta), 50W (Tc)
-
Surface Mount
8-VQFN Exposed Pad
20 A
20A (Ta), 40A (Tc)
1.8 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 37W (Tc)
IRFHM8329TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :