触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

42A Tc

10V

1

140W Tc

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.5MOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

GULL WING

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

89nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

42A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free