IRFR4104TRPBF
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
42A Tc
10V
1
140W Tc
37 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
5.5MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
40V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
42A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 42A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2950pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
89nC @ 10V
上升时间
69ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
42A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
恢复时间
42 ns
高度
1.778mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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