SI3993CDV-T1-GE3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 30 V; 6-Pin TSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
2.9A
2
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.4W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.14W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
111m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
210pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
-2.9A
阈值电压
-1.2V
JEDEC-95代码
MO-193AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.111Ohm
漏源击穿电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
栅源电压
-1.2 V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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2.2 V
20 V
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-
4.6 A
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-
20 V
-
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
51 A
2.5A
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20 V
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
2 A
-
-
20 V
500 mW
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