SI7942DP-T1-E3
PowerPAK® SO-8 Dual
Dual N-Channel 100 V 0.049 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
3.8A
2
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
49mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.4W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI7942
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
49m Ω @ 5.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
15ns
下降时间（典型值）
20 ns
连续放电电流(ID)
5.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
双电源电压
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
4 V
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI7942DP-T1-E3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
5.9 A
3.8A
20 V
1.4 W
1.4 W
No
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
4.4 A
6.8A (Tc)
20 V
-
2.5 W
No
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
5.4 A
5.4A (Ta)
20 V
-
2.5 W
No
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.9 A
6.9A (Ta)
20 V
-
2.5 W
No
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
7.3A (Ta)
20 V
-
2.5 W
No
SI7942DP-T1-E3 PDF数据手册
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