
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
7.512624mg
晶体管元件材料
SILICON
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
385MOhm
最大功率耗散
270mW
终端形式
GULL WING
基本部件号
SI1902
引脚数量
6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
270mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
385m Ω @ 660mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 4.5V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
660mA
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
600 mV
高度
1.1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SI1902DL-T1-E3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
660 mA
1.5 V
12 V
270 mW
270 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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700 mA
1.1 V
12 V
300 mW
300 mW
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Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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700 mA
1.1 V
12 V
300 mW
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
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Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-
700 mA
1.2 V
12 V
300 mW
300 mW
SI1902DL-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
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