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SIA519EDJ-T1-GE3
PowerPAK® SC-70-6 Dual
MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
引脚数
6
质量
28.009329mg
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
40MOhm
最大功率耗散
7.8W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SIA519
引脚数量
6
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.9W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 4.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
4.5A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SIA519EDJ-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SC-70-6 Dual
20V
4.5 A
600 mV
12 V
7.8 W
1.9 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
6.6 A
700 mV
12 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
7.2 A
600 mV
12 V
-
1.3 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
5.2 A
700 mV
12 V
2 W
2 W
SIA519EDJ-T1-GE3 PDF数据手册
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