工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

2

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

附加功能

ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

额定电流

5.2A

基本部件号

IRF7301PBF

行间距

6.3 mm

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 2.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

42ns

下降时间（典型值）

51 ns

连续放电电流(ID)

5.2A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

44 ns

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

700 mV

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free