工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

2

34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

29mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

额定电流

6.5A

基本部件号

IRF7319PBF

行间距

6.3 mm

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

13ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free