工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

2

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

29mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

额定电流

6.5A

基本部件号

IRF7313PBF

行间距

6.3 mm

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

8.1 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

8.9ns

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

68 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Standard

栅源电压

1 V

高度

1.75mm

长度

4.9784mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free