工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28.009329mg

晶体管元件材料

SILICON

700mA 500mA

2

4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

340mW

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

引脚数量

6

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

290mW

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

388m Ω @ 600mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

28pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

700mA

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.388Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

1.1mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free