工厂交货时间

14 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

506.605978mg

晶体管元件材料

SILICON

10A 9.2A

2

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

21mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

3.2W

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

SI4564

引脚数量

8

通道数量

2

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

42 ns

功率 - 最大

3.1W 3.2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.5m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

855pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

DS 击穿电压-最小值

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

800 mV

高度

1.75mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free