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SI4816BDY-T1-E3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
5.8A 8.2A
2
31 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
LITTLE FOOT®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
18.5mOhm
端子表面处理
MATTE TIN
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI4816
引脚数量
8
通道数量
2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
1W 1.25W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.5m Ω @ 6.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
3 V
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI4816BDY-T1-E3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
5.8 A
5.8A, 8.2A
1 V
20 V
1.25 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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10A (Ta)
1 V
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9.2 A
9.2A (Ta)
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8.9 A
7.8A, 8.9A
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20 V
2 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
7.3 A
7.3A (Ta)
1 V
20 V
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