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IRF7905TRPBF

型号:

IRF7905TRPBF

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

IRF7905PbF

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 7.8A 8.9A

  • 2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    2W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 基本部件号

    IRF7905PBF

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    21.8m Ω @ 7.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.25V @ 25μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    600pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.9nC @ 4.5V

  • 下降时间(典型值)

    3.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8.9A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0171Ohm

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    71A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    1.4986mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    3.9878mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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