规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
2
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
46W
终端形式
C BEND
基本部件号
SI7252
JESD-30代码
R-PDSO-C6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1170pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
100V
下降时间（典型值）
7 ns
连续放电电流(ID)
36.7A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.017Ohm
漏源击穿电压
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度（Tj）
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.12mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
SI7252DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
100V
36.7 A
1.5 V
20 V
46 W
3.5 W
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
15.2 A
1.5 V
20 V
-
5 W
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
30 A
1.5 V
20 V
-
3.1 W
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
40 A
1.7 V
20 V
-
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
40 A
1.2 V
20 V
-
5 W
SI7252DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :