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SIR876ADP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
S17-0173-Single
28 ns
5W Ta 62.5W Tc
1
4.5V 10V
40A Tc
已出版
2014
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
14.5MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1630pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
15.2A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.17mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
Unknown
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIR876ADP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
15.2 A
40A (Tc)
1.5 V
20 V
5 W
5W (Ta), 62.5W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
11.2 A
11.2A (Ta)
2.7 V
20 V
5 W
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.5 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
13 A
18.4A (Tc)
1.5 V
20 V
3 W
3W (Ta), 6W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
58.8 A
58.8A (Tc)
-
20 V
5 W
5W (Ta), 56.8W (Tc)
SIR876ADP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :