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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / SI2343DS-T1-E3 /
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

型号:

SI2343DS-T1-E3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

SI2343DS

描述:

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 工厂交货时间

    33 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.437803g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.1A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 750mW Ta

  • 31 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    53mOhm

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    750mW

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    53m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    540pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    21nC @ 10V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -4A

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 栅源电压

    -1 V

  • 高度

    1.12mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
  • SI2343DS-T1-E3

    SI2343DS-T1-E3

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    30V

    -4 A

    3.1A (Ta)

    -1 V

    20 V

    750 mW

  • FDN359AN
    FDN359AN

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    30V

    -3.8 A

    3.8A (Ta)

    -2.1 V

    20 V

    1.08 W

  • DMG3415U-7
    DMG3415U-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    -

    2.7 A

    2.7A (Ta)

    1.6 V

    20 V

    500 mW

  • DMP3099L-7
    DMP3099L-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    20V

    4 A

    4A (Ta)

    -550 mV

    8 V

    900 mW

  • SI2318DS-T1-GE3
    SI2318DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    -

    3 A

    3A (Ta)

    3 V

    20 V

    750 mW