工厂交货时间

8 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

1A Ta

10V

1

1.3W Ta

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

540mOhm

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDIP-T3

资历状况

Not Qualified

螺纹距离

2.54mm

行间距

7.62 mm

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

1.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

540m Ω @ 600mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.3nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

恢复时间

200 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

高度

4.57mm

长度

5mm

宽度

6.29mm

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free