SI2329DS-T1-GE3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VISHAY SI2329DS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -6 A, -8 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -350 mV
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
6A Tc
1.2V 4.5V
1
2.5W Tc
46 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
系列
TrenchFET®
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 5.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1485pF @ 4V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
8V
Vgs（最大值）
±5V
下降时间（典型值）
20 ns
连续放电电流(ID)
-5.3A
阈值电压
-350mV
栅极至源极电压(Vgs)
5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
-8V
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
1.12mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI2329DS-T1-GE3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8V
-5.3 A
6A (Tc)
-350 mV
5 V
1.25 W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
6 A
6A (Tc)
2.5 V
20 V
1.3 W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
4.2 A
5.8A (Ta)
1.5 V
20 V
1.4 W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
6 A
6A (Tc)
800 mV
5 V
1.3 W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
5.8 A
5.8A (Ta)
1.7 V
20 V
1.25 W
SI2329DS-T1-GE3 PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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