SUM110P06-07L-E3
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
110A Tc
4.5V 10V
1
3.75W Ta 375W Tc
110 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
6.9MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.75W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.9m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
345nC @ 10V
上升时间
160ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
240 ns
连续放电电流(ID)
-11A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
最大结点温度(Tj)
175°C
栅源电压
-3 V
高度
5.08mm
长度
10.41mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SUM110P06-07L-E3 PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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