FDB8832
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
34A Ta 80A Tc
4.5V 10V
1
300W Tc
54 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11400pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
265nC @ 10V
上升时间
73ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
38 ns
反向恢复时间
59 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
34A
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
1.6 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDB8832 PDF数据手册
- 数据表 : FDB8832 FDB8832-Fairchild-Semiconductor-datasheet-11548771.pdf FDB8832-ON-Semiconductor-datasheet-86692120.pdf FDB8832-ON-Semiconductor-datasheet-139010217.pdf FDB8832-Fairchild-datasheet-138205.pdf FDB8832-ON-Semiconductor-datasheet-86686942.pdf FDB8832-Fairchild-Semiconductor-datasheet-14041993.pdf FDB8832-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67650113.pdf
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