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NTD2955T4G

型号:

NTD2955T4G

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

数据表:

NTD,NVD2955

描述:

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 12A Ta

  • 10V

  • 1

  • 55W Tj

  • 26 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    180mOhm

  • 电压 - 额定直流

    -60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    -12A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    55W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180m Ω @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    750pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    30nC @ 10V

  • 上升时间

    45ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    48 ns

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 阈值电压

    -2.8V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -60V

  • 栅源电压

    -2.8 V

  • 高度

    2.38mm

  • 长度

    6.73mm

  • 宽度

    6.22mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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