![NTD2955T4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/littelfuseinc-mcr708at4g-9448.jpg)
NTD2955T4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
12A Ta
10V
1
55W Tj
26 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
180mOhm
电压 - 额定直流
-60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
55W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
750pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
48 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
-2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
栅源电压
-2.8 V
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
NTD2955T4G PDF数据手册
- 数据表 : NTD,NVD2955 NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-163076.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-12521133.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-21211186.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-93402386.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-126079.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-7548795.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-14058837.pdf NTD2955T4G-ON-Semiconductor-datasheet-41194472.pdf
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