FDB33N25TM
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
33A Tc
10V
1
235W Tc
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UniFET™
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
94MOhm
附加功能
FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
235W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
94m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2135pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
230ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
120 ns
连续放电电流(ID)
33A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
250V
栅源电压
3 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDB33N25TM
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
33 A
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
31 A
31A (Tc)
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3.1W (Ta), 200W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
30 A
30A (Tc)
3 V
20 V
125 W
125W (Tc)
FDB33N25TM PDF数据手册
- 数据表 : FDB33N25 FDB33N25TM-ON-Semiconductor-datasheet-81100200.pdf FDB33N25TM-ON-Semiconductor-datasheet-137490855.pdf FDB33N25TM-Fairchild-Semiconductor-datasheet-5378979.pdf FDB33N25TM-ON-Semiconductor-datasheet-21379295.pdf FDB33N25TM-ON-Semiconductor-datasheet-86686884.pdf FDB33N25TM-ON-Semiconductor-datasheet-130075989.pdf
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