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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / BSS84LT1G /
BSS84LT1G

BSS84LT1G

型号:

BSS84LT1G

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

B(V)SS84L Datasheet

描述:

ON SEMICONDUCTOR - BSS84LT1G - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 130mA Ta

  • 5V

  • 1

  • 225mW Ta

  • 16 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    10Ohm

  • 电压 - 额定直流

    -50V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    -130mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    225mW

  • 接通延迟时间

    3.6 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ω @ 100mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    30pF @ 5V

  • 上升时间

    1ns

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    1 ns

  • 连续放电电流(ID)

    130mA

  • 阈值电压

    -2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    50V

  • 栅源电压

    2 V

  • 高度

    1.016mm

  • 长度

    3.0226mm

  • 宽度

    1.397mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    品牌
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    RoHS Status
  • BSS84LT1G

    BSS84LT1G

    ON Semiconductor

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    130 mA

    130mA (Ta)

    -2 V

    20 V

    225 mW

    225mW (Ta)

    ROHS3 Compliant

  • 2N7002LT1G
    2N7002LT1G

    ON Semiconductor

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    115 mA

    115mA (Tc)

    1 V

    20 V

    225 mW

    225mW (Ta)

    ROHS3 Compliant

  • 2N7002LT3G
    2N7002LT3G

    ON Semiconductor

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    115 mA

    115mA (Tc)

    2.5 V

    20 V

    300 mW

    225mW (Ta)

    ROHS3 Compliant

  • 2N7002L
    2N7002L

    ON Semiconductor

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    115 mA

    115mA (Ta)

    2.5 V

    20 V

    -

    200mW (Ta)

    ROHS3 Compliant

  • BSS84TA
    BSS84TA

    Diodes Incorporated

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    130 mA

    130mA (Ta)

    -

    20 V

    300 mW

    360mW (Ta)

    ROHS3 Compliant