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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / BSS123LT1G /
BSS123LT1G

BSS123LT1G

型号:

BSS123LT1G

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

BSS123LT1G, BVSS123LT1G

描述:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 170mA Ta

  • 10V

  • 1

  • 225mW Ta

  • 40 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    6Ohm

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    170mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    225mW

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6 Ω @ 100mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2.6V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    20pF @ 25V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    170mA

  • 阈值电压

    800mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 栅源电压

    20 V

  • 高度

    1.01mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • BSS123LT1G

    BSS123LT1G

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    170 mA

    170mA (Ta)

    800 mV

    20 V

    225 mW

    225mW (Ta)

  • BSS123-7-F
    BSS123-7-F

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    220 mA

    180mA (Ta)

    -

    20 V

    540 mW

    370mW (Ta)

  • BSS123NH6327XTSA1
    BSS123NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    190 mA

    190mA (Ta)

    -

    20 V

    500 mW

    500mW (Ta)

  • BSS123
    BSS123

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    170 mA

    170mA (Ta)

    1.4 V

    20 V

    300 mW

    300mW (Ta)

  • 2N7002A-7
    2N7002A-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    170 mA

    170mA (Ta)

    1.7 V

    20 V

    360 mW

    360mW (Ta)