SUD50P06-15-GE3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
2.5W Ta 113W Tc
175 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4950pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
165nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.507mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SUD50P06-15-GE3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
60V
-50 A
50A (Tc)
20 V
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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11A (Tc)
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2.5 W
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
60V
-8.8 A
8.8A (Tc)
20 V
42 W
2.5W (Ta), 42W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
60V
7.7 A
7.7A (Tc)
20 V
25 W
2.5W (Ta), 25W (Tc)
ROHS3 Compliant
SUD50P06-15-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :