![SI2365EDS-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/semtechcorporation-sdc15tct-7219.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
5.9A Tc
1.8V 4.5V
1
1W Ta 1.7W Tc
65 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 8V
上升时间
32μs
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
21 μs
连续放电电流(ID)
-4.5A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.9A
漏源击穿电压
-20V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.12mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SI2365EDS-T1-GE3
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
-4.5 A
5.9A (Tc)
-1 V
8 V
1 W
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60V
240 mA
240mA (Ta)
2 V
20 V
350 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60V
-185 mA
185mA (Ta)
-3 V
20 V
350 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60V
300 mA
300mA (Ta)
2.5 V
20 V
350 mW
SI2365EDS-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :