SI4108DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
20.5A Tc
1
23 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
7.8W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
7.8W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.8m Ω @ 13.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2100pF @ 38V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 10V
上升时间
11ns
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
20.5A
JEDEC-95代码
MS-012AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
51.2 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SI4108DY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :