你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

SI4108DY-T1-GE3

型号:

SI4108DY-T1-GE3

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

SI4108DY

描述:

MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 20.5A Tc

  • 1

  • 23 ns

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2017

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    7.8W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    7.8W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.8m Ω @ 13.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2100pF @ 38V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    54nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 下降时间(典型值)

    9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20.5A

  • JEDEC-95代码

    MS-012AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    75V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    51.2 mJ

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

SI4108DY-T1-GE3 PDF数据手册