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IRFBG30PBF
TO-220-3
In a Tube of 50, IRFBG30PBF N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
3.1A Tc
10V
1
125W Tc
89 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
1kV
额定电流
3.1A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
125W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
980pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
3.1A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
1kV
输入电容
980pF
恢复时间
620 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
5Ohm
最大rds
5 Ω
栅源电压
4 V
高度
19.89mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFBG30PBF
Through Hole
TO-220-3
1000V
3.1 A
3.1A (Tc)
2 V
5 Ω
20 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
3 A
3A (Tc)
5 V
-
30 V
107 W
107W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
3.9 A
3.9A (Tc)
-
-
30 V
130 W
130W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
800V
4.1 A
4.1A (Tc)
4 V
3 Ω
20 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
900V
3.6 A
3.6A (Tc)
4 V
3.7 Ω
20 V
125 W
125W (Tc)
IRFBG30PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :