![SI7611DN-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sisa14dnt1ge3-2757.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
18A Tc
4.5V 10V
1
3.7W Ta 39W Tc
30 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
25mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-XDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 9.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1980pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
-18A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.3A
漏源击穿电压
-40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
雪崩能量等级(Eas)
26 mJ
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-3 V
高度
1.17mm
长度
3.05mm
宽度
3.05mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SI7611DN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
40V
-18 A
18A (Tc)
-1 V
20 V
3.7 W
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
-
-16 A
16A (Tc)
-3 V
25 V
3.7 W
-
Surface Mount
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
-
9 A
9A, 6.5A
1.7 V
20 V
3.1 W
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
30V
9.9 A
12A (Tc)
-
20 V
3.1 W
-
Surface Mount
PowerPAK? ChipFET? Single
-
12 A
12A (Tc)
3 V
20 V
3.1 W
SI7611DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :