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SI7611DN-T1-GE3

型号:

SI7611DN-T1-GE3

封装:

PowerPAK® 1212-8

数据表:

SI7611DN

描述:

MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    PowerPAK® 1212-8

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 18A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 3.7W Ta 39W Tc

  • 30 ns

  • 操作温度

    -50°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    25mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.7W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25m Ω @ 9.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1980pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    62nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -18A

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    9.3A

  • 漏源击穿电压

    -40V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    26 mJ

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 栅源电压

    -3 V

  • 高度

    1.17mm

  • 长度

    3.05mm

  • 宽度

    3.05mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    品牌
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    Package / Case
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    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
  • SI7611DN-T1-GE3

    SI7611DN-T1-GE3

    Surface Mount

    PowerPAK? 1212-8

    40V

    -18 A

    18A (Tc)

    -1 V

    20 V

    3.7 W

  • FDD8424H

    Surface Mount

    PowerPAK? 1212-8

    -

    -16 A

    16A (Tc)

    -3 V

    25 V

    3.7 W

  • SI5419DU-T1-GE3

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    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

    -

    9 A

    9A, 6.5A

    1.7 V

    20 V

    3.1 W

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    8-PowerVDFN

    30V

    9.9 A

    12A (Tc)

    -

    20 V

    3.1 W

  • SI5410DU-T1-GE3

    Surface Mount

    PowerPAK? ChipFET? Single

    -

    12 A

    12A (Tc)

    3 V

    20 V

    3.1 W