FDD8424H
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
引脚数
5
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
9A 6.5A
2
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
24MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
3.1W
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
基本部件号
FDD8424
JESD-30代码
R-PSSO-G4
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
功率 - 最大
1.3W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
3ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间（典型值）
3 ns
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度（Tj）
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
2.517mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDD8424H PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :