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FDC6312P
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
2
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
115MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
960mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
-2.3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
960mW
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
115m Ω @ 2.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
2.3A
阈值电压
-900mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
-900 mV
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC6312P PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :