![FDC3601N](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fan5622sx-7877.jpg)
FDC3601N
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
2
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
500MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
960mW
终端形式
GULL WING
额定电流
1A
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
960mW
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
500m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
153pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 10V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
1A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏源击穿电压
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC3601N PDF数据手册
- 数据表 : FDC3601N FDC3601N-ON-Semiconductor-datasheet-27516.pdf FDC3601N-ON-Semiconductor-datasheet-98394435.pdf FDC3601N-ON-Semiconductor-datasheet-85466335.pdf FDC3601N-ON-Semiconductor-datasheet-83037319.pdf FDC3601N-ON-Semiconductor-datasheet-99356504.pdf FDC3601N-Fairchild-Semiconductor-datasheet-14041903.pdf
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