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FDC3601N

型号:

FDC3601N

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表:

FDC3601N

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 11 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    500MOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 最大功率耗散

    960mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    1A

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    960mW

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 功率 - 最大

    700mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    500m Ω @ 1A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    153pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • 阈值电压

    2.6V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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