规格参数
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
500mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-430mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NTZD3152P
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
900m Ω @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
430mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.43A
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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NTZD3152PT1G
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NTZD3152PT1G PDF数据手册
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