FDC6333C
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
2.5A 2A
2
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
95MOhm
最大功率耗散
960mW
终端形式
GULL WING
额定电流
2.5A
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
960mW
接通延迟时间
4.5 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
95m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
282pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.6nC @ 10V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间（典型值）
13 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度（Tj）
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.8 V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC6333C PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :