规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
2
42 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
23MOhm
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1.6W
终端形式
GULL WING
额定电流
7A
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
635pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
9ns
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
7mA
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.7 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
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FDS8984
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7 mA
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20 V
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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1.6 V
25 V
1.17 W
1.17 W
8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.9 mA
1.7 V
20 V
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2 W
8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.5 mA
1.7 V
20 V
900 mW
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8
FDS8984 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :