生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

510mA 340mA

2

8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

2Ohm

最大功率耗散

700mW

终端形式

GULL WING

额定电流

350mA

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

960mW

接通延迟时间

2.8 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 510mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 10V

上升时间

10ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

510mA

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.51A

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

2.1 V

最小击穿电压

60V

高度

900μm

长度

3mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free