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FDMQ86530L

型号:

FDMQ86530L

封装:

12-WDFN Exposed Pad

数据表:

FDMQ86530L

描述:

MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    12-WDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    12

  • 质量

    242.3mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    511CR

  • 4

  • 22 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 系列

    GreenBridge™ PowerTrench®

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    12

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

  • 最大功率耗散

    1.9W

  • 端子位置

    DUAL

  • 配置

    COMPLEX

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.9W

  • 箱体转运

    DRAIN SOURCE

  • 接通延迟时间

    8.8 ns

  • 场效应管类型

    4 N-Channel (H-Bridge)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    17.5m Ω @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2295pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33nC @ 10V

  • 上升时间

    3.8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 下降时间(典型值)

    2.8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8A

  • 阈值电压

    1.8V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    8A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0175Ohm

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    15 pF

  • 接通时间-最大值(ton)

    28ns

  • 高度

    800μm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    4.5mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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