
规格参数
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
12-WDFN Exposed Pad
引脚数
12
质量
242.3mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
511CR
4
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
GreenBridge™ PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
最大功率耗散
1.9W
端子位置
DUAL
配置
COMPLEX
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.9W
箱体转运
DRAIN SOURCE
接通延迟时间
8.8 ns
场效应管类型
4 N-Channel (H-Bridge)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17.5m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2295pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
8A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.0175Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
15 pF
接通时间-最大值(ton)
28ns
高度
800μm
长度
5mm
宽度
4.5mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDMQ86530L PDF数据手册
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