FDS6898A
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
2
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
14MOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
额定电流
9.4A
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
10 ns
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1821pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 4.5V
上升时间
15ns
下降时间（典型值）
16 ns
连续放电电流(ID)
9.4A
阈值电压
500mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度（Tj）
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1 V
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDS6898A
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.4 A
500 mV
12 V
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2 W
8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.8 A
1 V
12 V
-
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8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.5 A
900 mV
12 V
2 W
2 W
8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.4 A
1 V
12 V
2 W
2 W
8
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7 A
1.2 V
12 V
2 W
2 W
8
FDS6898A PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :