
DMN2028USS-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
7.3A Ta
1.5V 4.5V
1
1.56W Ta
35.89 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.56W
接通延迟时间
11.67 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 9.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.6nC @ 4.5V
上升时间
12.49ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
12.33 ns
连续放电电流(ID)
9.8A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.02Ohm
漏源击穿电压
20V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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DMN2028USS-13 PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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