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DMG1013T-7

型号:

DMG1013T-7

封装:

SOT-523

数据表:

DMG1013T-7

描述:

P-Channel 20 V 0.7 Ohm 0.27 W Enhancement Mode Mosfet - SOT-523

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-523

  • 引脚数

    3

  • 质量

    2.012816mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 460mA Ta

  • 1.8V 4.5V

  • 1

  • 270mW Ta

  • 28.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    700mOhm

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    270mW

  • 接通延迟时间

    5.1 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    700m Ω @ 350mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    59.76pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.622nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8.1ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±6V

  • 下降时间(典型值)

    20.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -460mA

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    6V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.46A

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    900μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    850μm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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