工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

110 ns

2

已出版

2008

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

30MOhm

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

额定电流

7A

基本部件号

IRF7331PBF

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

接通延迟时间

7.6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1340pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

22ns

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

1.2 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free