![SI9926CDY-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
质量
186.993455mg
8A
2
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
18mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3.1W
基本部件号
SI9926
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
3.1W
接通延迟时间
10 ns
功率 - 最大
3.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
8A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.2nF
场效应管特性
Logic Level Gate
漏源电阻
18mOhm
最大rds
18 mΩ
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationMax Power Dissipation
-
SI9926CDY-T1-E3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
8 A
8A
1.5 V
18 mΩ
12 V
3.1 W
3.1 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
-6.7 A
6.7A (Ta)
-700 mV
-
12 V
2.5 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
8.7 A
8.7A (Ta)
700 mV
-
12 V
2.5 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
6.3 A
7.8A, 6.3A
-
-
10 V
-
1.8 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
7 A
-
1.2 V
-
12 V
2 W
2 W
SI9926CDY-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :