![SI3932DV-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sq3585evt1ge3-7819.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
3.7A
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
58MOhm
最大功率耗散
1.4W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI3932
引脚数量
6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.14W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
58m Ω @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
235pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
上升时间
15ns
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
3.4A
阈值电压
2.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.7A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1.2 V
高度
1.1mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SI3932DV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
3.4 A
3.7A
2.2 V
20 V
1.4 W
1.14 W
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SOT-23-6
8.2 A
8.2A (Ta)
1.8 V
20 V
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2 W
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
5.5 A
5.5A (Ta)
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20 V
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2 W
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SC-74, SOT-457
-
4.6A (Tc)
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SI3932DV-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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