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IRFTS8342TRPBF

型号:

IRFTS8342TRPBF

封装:

SOT-23-6

数据表:

IRFTS8342PbF

描述:

MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 8.2A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 2W Ta

  • 9.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    19MOhm

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 接通延迟时间

    7.3 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    19m Ω @ 8.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.35V @ 25μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    560pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    15ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8.2 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8.2A

  • 阈值电压

    1.8V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80A

  • 恢复时间

    12 ns

  • 栅源电压

    1.8 V

  • 高度

    1.3mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.75mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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