![SIA537EDJ-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sia527djt1ge3-8177.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
引脚数
6
质量
28.009329mg
晶体管元件材料
SILICON
2
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
7.8W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
SIA537
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 5.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
455pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 8V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
12V 20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationRoHS Status
-
SIA537EDJ-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SC-70-6 Dual
12V, 20V
4.5 A
1 V
8 V
7.8 W
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
4.2 A
1 V
8 V
-
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-VDFN Exposed Pad
20V
5 A
700 mV
8 V
700 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
5.47 A
950 mV
12 V
-
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
4.5 A
1 V
8 V
830 mW
ROHS3 Compliant
SIA537EDJ-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :