![SI1902CDL-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-8117.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28.009329mg
晶体管元件材料
SILICON
1.1A
2
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
235mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
420mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300mW
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
235m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
62pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 10V
上升时间
13ns
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
1A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SI1902CDL-T1-GE3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1 A
1.1A
1.5 V
12 V
420 mW
300 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1.2 A
1.2A (Ta)
900 mV
8 V
-
750 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
1.2 A
-
800 mV
8 V
360 mW
360 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.2 A
1.2A (Ta)
1.2 V
8 V
-
500 mW
-
-
SC-75, SOT-416
-
970mA (Tc)
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SI1902CDL-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :